与通常的 IC 制造工序*样，通过杂质扩散，在硅片受压部（硅隔膜）形成硅规。
当对硅芯片施加压力时，应变计电阻会根据偏转而变化，并转换为电信号。(压阻效应)
这种应变计的特点是应变系数大。（金属规格为2-3，而硅规格为10-100）。
结果，可以获得高输出，使得制造厚隔膜成为可能，这提高了压力传感器的耐压性。
目标机型
半导体型压力传感器
VDP4、VSW2（低压用）等
半导体膜片式压力传感器的结构及动作说明
半导体膜片压力传感器由与被测介质直接接触的高耐腐蚀金属膜片（相当于哈氏合金C-22、SUS316L等）和检测压力的硅片（硅膜片）组成通过封闭的硅油。 )，它采用双隔膜系统。
SUS316L膜片（或相当于Hastelloy C-22）通过压力入口直接与被测介质接触。。[当连接螺纹为 G3/8 时，使用 O 型圈（氟橡胶）密封管道。] ]
特征
我们可以制造各种可以测量正压、负压、复合压力和*对压力的传感器元件。
与介质直接接触的受压部分材质相当于哈氏合金C-22，可采用SUS316L制造，具有优良的耐腐蚀性能。
由于检测压力的硅芯片的厚膜片具有出色的耐压性